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MJD243G中文资料

MJD243G图片

MJD243G外观图

  • 大小:98.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Power Dissipation Pd:12.5mW; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Complementary Device:MJD253G; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:1A; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Package / Case:D-PAK; Peak Current Icm:8A; Power Dissipation Pd:1.4W; Power Dissipation Ptot Max:12.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vcbo:40V
  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 200mA,1V
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 频率 - 转换:40MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:DPAK-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJD243G-NDMJD243GOS

MJD243G供应商

更新时间:2023-01-10 10:25:08
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